報告期內(nèi)公司研發(fā)進(jìn)展順利,取得了顯著的成果,如(rú )55nm 中高階BSI 及(jí )堆(duī )棧式CIS 芯(xīn )片工(gōng )藝平臺實現(xiàn)大批(pī )量生產(chǎn)、40nm 高壓OLED 顯示驅(qū)動芯片(piàn )實現(xiàn)小批(pī )量生產(chǎn)、28nm 邏(luó )輯芯片通過(guò )功能性驗證、110nm Micro OLED 芯片已成(chéng )功(gōng )點亮面板、55nm 車(chē )載顯示驅(qū)(qū )動芯片量產(chǎn)、新一代(dài )110nm 加強(qiáng)(qiáng )型微(wēi )控(kòng )制器(110nm 嵌入式flash)等工藝平臺完(wán )成開發(fā)。
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