晶體二(èr )極管為一個由p型半導體和n型半導體形(xíng )成的p-n結,在其界面處(chù )兩側形成空間電荷層,并建有(yǒu )自建電(diàn )場。當不(bú )存(cún )在外加電壓時,由于p-n 結(jié )兩邊(biān )載流子濃度差引起的擴散電(diàn )流(liú )和自建電場引起的漂(piāo )移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向(xiàng )電壓偏置時,外界(jiè )電(diàn )場和自建(jiàn )電場的互相抑消作(zuò )用使載流子的擴散(sàn )電流增加引起了正(zhèng )向電流。當外界有反向電壓偏置時,外(wài )界電場和自建電場進一步加(jiā )強,形(xíng )成在一定反向電壓范圍內(nèi)(nèi )與反(fǎn )向偏置(zhì )電壓值無關的(de )反向飽和電(diàn )流I0。當外加的反向電壓(yā )高(gāo )到(dào )一定(dìng )程度時,p-n結空間電荷層中(zhōng )的電場強度達到臨界值(zhí )產(chǎn)生載流子的倍增過(guò )程,產(chǎn)生大(dà )量電子(zǐ )空穴對,產(chǎn)生了數(shù)(shù )值很大的反向擊(jī )穿電(diàn )流(liú ),稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。
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