TPFC電(diàn )路的高(gāo )頻橋臂要求(qiú )功率開關(guān)中集成具有低反向恢復時(shí )間的二(èr )極管,SiC和GaN功率開關(guān)均(jun1 )適合此級。安(ān )森美(měi )建議,對于(yú )600W至1.2kW的功(gōng )率水平,使用(yòng )集成柵極驅(qū)動器的GaN,而對(duì )于1.5kW至6.6kW的應用,則使用SiC FET。集成SiC二極(jí )管的IGBT可用于20-40KHz的較高(gāo )頻率應用。電路的低(dī )頻橋臂可以使(shǐ )用低RDS(on)超級結(jié)(jié )MOSFET或低(dī )VCE(SAT)IGBT。對于更高功率(4.0 kW 至6.6 kW)的應用,設計人(rén )員應考慮采用(yòng )交(jiāo )錯(cuò )式TPFC拓撲。
版權(quán)所有 ? 2025 青龍影院 保留所有權(quán)利