報告期內(nèi)公司研(yán )發(fā)進(jìn)展(zhǎn )順(shùn )利,取得(dé )了顯(xiǎn )著的成果,如(rú )55nm 中(zhōng )高(gāo )階BSI 及堆棧式CIS 芯片工藝平臺實現(xiàn)大(dà )批量生產(chǎn)、40nm 高壓OLED 顯示驅(qū)(qū )動芯(xīn )片實現(xiàn)小批量生產(chǎn)、28nm 邏輯芯片通過功能性驗證、110nm Micro OLED 芯片已成功點亮面(miàn )板(bǎn )、55nm 車載顯示驅(qū)動芯片量產(chǎn)、新(xīn )一代110nm 加強型微(wēi )控制器(110nm 嵌入(rù )式flash)等(děng )工藝平臺完(wán )成開發(fā)。
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