TPFC電路的(de )高(gāo )頻橋臂(bì )要求功(gōng )率開關(guān)中集成具有低反向恢復(fù)時(shí)間的二極管,SiC和GaN功率開關(guān)均(jun1 )適合(hé )此級(jí)。安(ān )森美建議,對(duì)于600W至1.2kW的(de )功率水平,使(shǐ )用集成(chéng )柵極(jí )驅(qū)動(dòng)器的GaN,而對(duì)于1.5kW至(zhì )6.6kW的應(yīng)用,則使用SiC FET。集成SiC二極管(guǎn )的IGBT可用于20-40KHz的較(jiào )高頻(pín )率應(yīng)用。電路的低頻橋(qiáo )臂可以使用低RDS(on)超(chāo )級(jí)結(jié)MOSFET或低VCE(SAT)IGBT。對(duì)于(yú )更高功率(4.0 kW 至6.6 kW)的應(yīng)用,設(shè)計(jì)人員應(yīng)考慮采用交錯(cuò)式TPFC拓?fù)洹?
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