在板級電路的設(shè)計(jì)上(shàng ),是有一些方法來做到這點(diǎn)的。比如(rú )通過在下管并聯(lián)一(yī )個RC snubber,可以等(děng )效(xiào )增大電容;或者通過(guò )增加Bootstrap電阻來(lái )減小開通速度,從而等效(xiào )增大諧振發(fā)(fā )生時的RFET,HS。但這些方法也有一些副作用,如增加了損(sǔn )耗(hào ),也(yě )增加了電(diàn )路(lù )成(chéng )本。
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