報告期內(nèi)公司研發(fā)(fā )進展順利,取得了顯著的成果,如(rú )55nm 中高(gāo )階BSI 及(jí )堆棧式CIS 芯片工藝平臺實現(xiàn)(xiàn )大批量生產(chǎn)、40nm 高壓OLED 顯示(shì )驅(qū)(qū )動芯片實現(xiàn)小批(pī )量生產(chǎn)、28nm 邏輯芯片通過功(gōng )能性驗證、110nm Micro OLED 芯片已成功點亮面(miàn )板、55nm 車載顯示驅(qū)動芯(xīn )片(piàn )量產(chǎn)、新一代110nm 加(jiā )強型微控制器(110nm 嵌入式flash)等工藝平(píng )臺(tái )完成開發(fā)。
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