報(bào)告期內(nèi)公司研發(fā)進(jìn)展順利,取得(dé )了顯著的成果,如55nm 中高階BSI 及堆棧式CIS 芯片工藝(yì )平臺實(shí)現(xiàn)大批量生(shēng )產(chǎn)、40nm 高壓(yā )OLED 顯示驅(qū)動芯片實(shí)(shí )現(xiàn)小批量生產(chǎn)、28nm 邏輯(jí )芯片通過功能性(xìng )驗(yàn)(yàn )證(zhèng )、110nm Micro OLED 芯片已成功(gōng )點(diǎn)亮面板、55nm 車(chē )載顯(xiǎn )示驅(qū)動芯(xīn )片量(liàng )產(chǎn)(chǎn )、新(xīn )一代110nm 加強(qiáng)型微控制器(110nm 嵌入(rù )式(shì )flash)等工藝平臺完成開發(fā)。
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